一、半導體行業對真空閥門的核心需求

半導體制造過程需在超高真空（UHV）、高潔凈度、無顆粒污染環境中進行，真空閥門作為真空系統的 “開關與調節器"，需滿足三大核心要求：① 密封性能好（漏率≤10?12 Pa?m3/s），避免空氣、水汽等雜質侵入；② 材質兼容（無金屬污染、低放氣率），適配硅片、光刻膠等敏感材料；③ 響應速度快（毫秒級開關）、壽命長（百萬次以上循環），匹配半導體產線的高產能需求。

二、關鍵應用場景及閥門類型

1. 晶圓制造核心工藝環節

⑴光刻工藝：光刻機的真空腔室需維持 10??~10?? Pa 的超高真空，采用電磁驅動角閥或磁流體密封閘閥，實現腔室與光刻光源、掩膜臺的真空隔離，同時保證閥門開啟時無顆粒脫落（潔凈度 Class 1 級）。此外，閥門需具備精準的流量調節功能，配合真空抽氣系統穩定腔室壓力，避免光刻圖案畸變。

⑵蝕刻工藝（干法蝕刻）：等離子體蝕刻腔室需通過真空閥門控制反應氣體（如 CF?、O?）的通入與排出，常用氣動薄膜閥或電動球閥。這類閥門需耐等離子體腐蝕（采用陶瓷或哈氏合金密封面），且開關動作無油污染，防止反應氣體與油污反應生成雜質，影響蝕刻精度。

⑶薄膜沉積（PVD/CVD）：物理氣相沉積（PVD）的濺射腔室、化學氣相沉積（CVD）的反應腔室，需用真空插板閥或蝶閥實現腔室隔離與抽真空切換。閥門需具備快速抽真空適配性（流導系數≥1000 L/s），同時材質需低放氣（如 316L 不銹鋼拋光處理），避免自身釋放的氣體影響薄膜純度。

2. 真空傳輸系統（VTS）

半導體晶圓在各工藝設備間的傳輸需通過真空傳輸腔（Load Lock）實現，真空閥門在此承擔 “隔離大氣與真空" 的關鍵作用：① 采用快速真空擋板閥，實現 Load Lock 腔室的快速抽真空（從大氣壓降至 10?3 Pa 僅需 30 秒）；② 傳輸腔與工藝腔之間的真空隔離閥，需具備零顆粒脫落設計，避免晶圓表面污染；③ 部分產線采用磁懸浮密封閥，通過非接觸式密封減少磨損，延長使用壽命至 200 萬次以上。

3. 尾氣處理與輔助系統

半導體工藝產生的有毒有害尾氣（如 Cl?、HF）需經真空閥門導入尾氣處理設備，這類閥門需具備耐腐蝕密封結構（如氟橡膠密封件、蒙乃爾合金閥體），防止尾氣泄漏；

真空抽氣系統（分子泵、擴散泵）與工藝腔之間的前置閥門，需具備壓力保護功能，避免腔室壓力突變損壞泵體。

三、半導體行業真空閥門的技術趨勢

1.高潔凈度與低顆?；?/span>：采用激光焊接閥體、無潤滑密封技術，將閥門內部顆粒產生量控制在≤1 顆 / 立方米（粒徑≥0.1μm）；

2.智能化與遠程控制：集成壓力傳感器、位置傳感器，實現閥門狀態實時監測、故障預警，適配半導體產線的自動化管控需求；

3.小型化與集成化：針對先進封裝、Micro LED 等細分領域，開發緊湊型真空閥門，減少設備占用空間；

4.惡劣環境適配：面向 3nm 及以下先進工藝，開發耐更高溫度（≥400℃）、更低漏率（≤10?1? Pa?m3/s）的超高真空閥門，適配原子層沉積（ALD）等精密工藝。

杭州域勢科技有限公司專注于為工業及科研客戶提供流量、壓力、真空檢測及控制相關的技術服務及解決方案，公司代理經銷美國ALICAT、瑞士Vogtlin、美國MKS、日本EBARA等品牌，結合代理的產品為客戶提供優質的流量及壓力監控解決方案，旨在提高客戶的研發及生產效率、改進客戶制造工藝、推動客戶科研及創新進度。